G085P02TS Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.05W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSSOP
Verpackung / Koffer: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)