GT080N10M Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: SGT
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 100W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263
Verpackung / Koffer: -