G7P03D2 Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.3W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-DFN (2x2)
Verpackung / Koffer: 6-WDFN Exposed Pad