RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: HUML2020L8
Verpackung / Koffer: 8-PowerUDFN
Basisproduktnummer: RF4P025