IPDQ60R017S7XTMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??S7
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-HDSOP-22-1
Verpackung / Koffer: 22-PowerBSOP Module
Basisproduktnummer: IPDQ60R