LSIC1MO120T0080-TU IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263-7
Verpackung / Koffer: -
Basisproduktnummer: LSIC1MO120