SICW1000N170A-BP Micro Commercial Co Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Micro Commercial Co
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.32Ohm @ 1.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 69W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247AB
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: SICW1000