NTHL022N120M3S onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 352W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3