GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 56W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN8080K
Verpackung / Koffer: 8-PowerDFN
Basisproduktnummer: GNP1070