XP2N1K2EN1 YAGEO XSEMI Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: YAGEO XSEMI
Serie: XP2N1K2E
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-723
Verpackung / Koffer: SOT-723
Basisproduktnummer: XP2N