GAN140-650EBEZ Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 113W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket des Lieferanten: DFN8080-8
Verpackung / Koffer: 8-VDFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: GAN140