GAN3R2-100CBEAZ Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 394W
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Verpackung / Koffer: 8-XFBGA, WLCSP
Basisproduktnummer: GAN3R2