TP44100SG Tagore Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Tagore Technology
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 22-QFN (5x7)
Verpackung / Koffer: 22-PowerVFQFN
Basisproduktnummer: TP44100