GPIHV7DK GaNPower Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: GaNPower
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 6 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 700 V
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount