TP65H070G4LSG-TR Transphorm Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Transphorm
Serie: SuperGaN®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 96W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 3-PQFN (8x8)
Verpackung / Koffer: 3-PowerTDFN