XP3N9R5AYT YAGEO XSEMI Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: YAGEO XSEMI
Serie: XP3N9R5A
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Ta), 38.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.57W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PMPAK® 3 x 3
Verpackung / Koffer: 8-PowerDFN