XP4N2R1MT YAGEO XSEMI Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: YAGEO XSEMI
Serie: XP4N2R1
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PMPAK® 5 x 6
Verpackung / Koffer: 8-PowerLDFN