DIW120SIC023-AQ Diotec Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diotec Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 125A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 600W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247
Verpackung / Koffer: TO-247-3