NC1M120C12HTNG NextGen Components Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NextGen Components
Serie: NC1M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 214A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40mA
Vgs (Max): +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8330 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.): 938W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4