APTM10UM01FAG Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 860A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2500W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SP6
Verpackung / Koffer: SP6
Basisproduktnummer: APTM10