SISS70DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 125 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8.5A (Ta), 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 62.5 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8S
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer: SISS70