SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 32A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 15 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SO-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer: SIRC06