IRFH5255TRPBF International Rectifier Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN