SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): +6V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23F
Verpackung / Koffer: SOT-23-3 Flat Leads