Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 169mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-CPH
Verpackung / Koffer: SOT-23-6
