GS120R045Q4 Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Vgs (Max): -10V, +20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 395W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4