SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-Micro Foot??(1.5x1)
Verpackung / Koffer: 6-UFBGA
Basisproduktnummer: SI8406