CSD19534KCS Texas Instruments Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Texas Instruments
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 118W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: CSD19534