VN3205N3-G Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: VN3205