TP2635N3-G Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 350 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 180mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: TP2635