IRLML6402TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: Micro3??SOT-23
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: IRLML6402