FQB7N10TM Fairchild Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263 (D2PAK)
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB