RJK1562DJE-00#Z0 Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 900mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92MOD
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)