PSMN6R9-100YSFX Nexperia USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 238W
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK56, Power-SO8
Verpackung / Koffer: SC-100, SOT-669
Basisproduktnummer: PSMN6R9