IXTA160N10T7 IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: Trench
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 430W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263-7 (IXTA)
Verpackung / Koffer: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basisproduktnummer: IXTA160