FQD5P10TM onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: QFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252AA
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: FQD5P10