FDB1D7N10CL7 onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 268A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 250W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263 (D2PAK)
Verpackung / Koffer: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basisproduktnummer: FDB1D7