T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 320mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: T2N7002