SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 5 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: USM
Verpackung / Koffer: SC-70, SOT-323
Basisproduktnummer: SSM3J09