5HN01M-TL-E-SA Sanyo Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Sanyo
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: MCP
Verpackung / Koffer: SC-70, SOT-323