IRFHM4234TRPBF International Rectifier Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: International Rectifier
Serie: FASTIRFET?? HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-TQFN Exposed Pad