2N7000 Diotec Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diotec Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 350mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads