NC1M120C75HTNG NextGen Components Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NextGen Components
Serie: NC1M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 5mA
Vgs (Max): +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.): 288W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4