TP65H300G4LSG-TR Transphorm Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Transphorm
Serie: -
Paket: Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 21W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 3-PQFN (8x8)
Verpackung / Koffer: 3-PowerDFN
Basisproduktnummer: TP65H300