2SJ606-ZK-E1-AY NEC Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NEC Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 83A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 120W
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220SMD
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB