RF1S70N03 Harris Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 70A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-262AA
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA