Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS V®
Verpackung: Tube
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 56A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D3PAK
Verpackung / Koffer: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basisproduktnummer: APT20M45
