SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 44W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-268
Verpackung / Koffer: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basisproduktnummer: SCT2H12