R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 86W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: R6006