HAT1043M-EL-E Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Verpackung: Bulk
Teilestatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.4A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.05W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP
Verpackung / Koffer: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6